12 月 31 日消息，据韩媒 ETNews 昨日报道，三星电子计划在 2026 年大幅提升其高带宽内存的产能，目标是将其 HBM 的月产能从当前的约 17 万片提升至约 25 万片，增幅接近 50%。
知情人士指出，三星电子将从新年开始全面投资。目前，三星电子的产能扩张将主要通过两种途径实现：一是转换现有的部分 DRAM 产能，二是在其位于平泽的 P4 晶圆厂集群新建专用生产线。公司的投资重心将放在最新的 HBM4 产品上。据悉，HBM 相关关键制造设备的测试已接近尾声。
此次大规模扩产计划背后，是三星 HBM 业务在经历年初因 HBM3、HBM3E 产品初期表现不佳导致的市场份额下滑后，于 2025 年下半年迎来回暖。消息人士透露，其最新的 HBM3E 和 HBM4 样品在英伟达、博通和 AMD等核心客户处的测试认证中表现良好，从而为 2026 年的订单提供了保障，也推动了此次积极的产能规划。
若计划顺利实施，三星电子有望在快速增长的 HBM 市场中巩固并提升其竞争地位，以应对来自 SK 海力士等对手的挑战。