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这个问题igbt功率模块驱动电路设计是MOSFET的驱动设计,设计中应注意以下几点:1.igbt功率模块的栅极电压一般为20V,所以驱动电路的输出的栅极电压保护,通常的做法是在并联稳压二极管或电阻栅。前者的缺点是增加等效输入电容CIN,从而影响开关速度,后者是降低输入阻抗,增大驱动电流,使用时应根据需要选择。2.虽然所需的驱动igbt功率模块的功率很小,但由于CIN输入电容的MOSFET开关过程的存在,要求电容器的充电和放电,因此驱动电路的输出电流应足够大,设计者往往忽略这一点。如果打开驱动器,在TR的输入电容的MOSFET的线性电荷的上升时间,然后驱动电流IGT = cinugs / TR,可TR = 2。R,为输入回路电阻2rcin。3.igbt功率模块的可靠闭合,防止持有现象,加负偏压的栅极,所以*好使用双电源供电。
igbt功率模块的离散成分较为复杂,可靠性和性能都比较复杂,大部分的集成电路在实际应用中。富士公司在日本EXB系列集成电路,法国汤姆森公司的ua4002集成电路,等。
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