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这是非常简单的,以确定可控硅模块的三个极。根据p-n结的原理,它可以用来测量三电极之间的电阻。阳极和阴极和扭转了在几百千欧电阻之间,之间的阳极在几百千欧的正向和反向电阻控制电极以上(其中有两p-n结,但在相反的方向,所以阳极和控制极反向不通)。 控制极与阴极之间是一个PN结,因此它的正向电阻大约是几欧元范围数百欧元,反向电阻大于正向电阻。但是,控制不是很理想的二极管特性,反向不完全阻断,可以有比较大的电流通过,因此,有时测量的反向电阻是比较小的,而且无法解释控制是不好的。此外,在测量控制中的反向电阻,使用该表应放在10或1块,以防止反向击穿电压太高。 可控硅模块是一种具有四层结构的高功率半导体器件,具有一三层结构。事实上,可硅控模块的功能不仅是一个整流器,它也可以作为一种非接触式开关快速接通或切断电路,将直流电源转换为交流逆变器,交流电频率为不同频率的交流电,等等。具有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点的可控硅和其它半导体器件。看来,半导体技术从弱到强电磁场、工业、农业、交通、**和科学研究,甚至是商业、电气等民用领域的组件。
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