IGBT功率模块是由添加积极的栅极电压通道,提供PNP晶体管基极电流,使IGBT刺激。另一方面,相反的栅电压消除通道,通过反向基极电流,使IGBT让我倒尽胃口。方法和场效应晶体管IGBT驱动程序基本相同,需要控制极N沟道MOSFET的输入,所以高输入阻抗特性。
场效电晶体通道形成后,从P +基地到N层的孔(简),N层电导率灯,减少N层阻力,使高压IGBT功率模块,也有低电压的状态。
IGBT功率模块的工作特性的分类:
1。IGBT功率模块的静态特性的静态特征主要是伏安特性、传输和开关特性。
IGBT功率模块的伏安特性是指门电压Ugs取决于一个参数,漏极电流和电网电压之间的关系曲线。漏极电流输出控制的栅源电压Ugs Ugs较高,Id越大。GTR的输出特性是相似的。还可分为饱和区1、2和3部分击穿特性。在IGBT功率模块正向电压由J2结,反向电压由败诉方承担为J1结。如果没有N +缓冲,正极和负极闭锁电压可以达到相同的水平,在加入N +缓冲区,反向关断电压只能达到几伏特的水平,因此限制了IGBT功率模块在某些应用领域。
转移IGBT模块的特点是指漏极电流的输出id和Ugs栅源电压之间的关系曲线。它是一样的MOSFET的传输特性,当栅源电压小于打开电压Ugs(th),IGBT在关闭状态。IGBT刺激后漏极电流范围内,大部分的Id与Ugs的线性关系。栅电压*高*大的漏极电流限制,其*优值通常需要大约15 v。
IGBT功率模块的特征指的是源漏漏极电流和电压之间的关系。IGBT在导电状态,因为它的PNP晶体管晶体管的宽的区域,所以B值非常低。尽管达林顿结构的等效电路,成为了MOSFET电流IGBT功率模块的主要部分的总电流。这时,通状态电压下可以使用
类型Uj1 - JI结正向电压,0.7 ~ IV的价值;
Udr——扩展电阻Rdr压降;
状态在当前id可用类型说:
id =(1 + Bpnp)国际海事组织(男童)
当前通过MOSFET国际海事组织的类型。不锈钢门
电导调制效应由于N +区存在,所以IGBT功率模块的压降很小,承受电压1000 v IGBT状态的压降为2 ~ 3 v。
IGBT功率模块关闭状态,只有一个小泄漏电流。
2。在开放的过程中,IGBT功率模块的动态特性是运行作为一个MOSFET,大部分时间只是在漏源极电压的下降过程,PNP晶体管的饱和区,它增加了延迟时间。延迟时间,三电流上升时间。实际的应用程序经常给漏极电流开放时间的总和。漏源极电压下降时间由tfe1和tfe2。IGBT功率模块关闭过程中,漏极电流波形分成两段。因为mosfet巡逻,PNP晶体管保管费很难迅速消除,导致漏极电流关闭延迟时间,三个电压上升时间的Uds(f)。通常在实际应用的漏极电流下降时间Tf t(f1)和t(f2)两部分,和漏极电流截止时间t td()+()=三10 t(f)(- 18)类型,td()和三个之和称为存储时间